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J-GLOBAL ID：200903078991290979

薄膜電場発光素子の製造方法

Inventor： 仲俣 伸一 ,  河島 朋之 ,  田村 幸久 ,  丸田 幸寛 ,  辻 崇
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137070
Publication number (International publication number)：1996330069
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】硫黄原子欠陥を防止して発光輝度特性と寿命特性の良好な薄膜電場発光素子を得る。【構成】絶縁基板1上に第一の電極、第一の絶縁層、アルカリ土類金属硫化物からなる発光層、第二の絶縁層、第二の電極を積層した薄膜電場発光素子を製造する際に、硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムの少なくとも一つを加熱分解蒸発した雰囲気中で、加熱された絶縁基板1上にアルカリ土類金属硫化物を蒸着して発光層を成膜する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に第一の電極、第一の絶縁層、アルカリ土類金属硫化物からなる発光層、第二の絶縁層、第二の電極を積層した薄膜電場発光素子の製造方法において、硫化亜鉛あるいは硫化カドミウムの少なくとも一つを加熱分解蒸発した雰囲気中で、加熱された絶縁基板上にアルカリ土類金属硫化物を蒸着することを特徴とする薄膜電場発光素子の製造方法。