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J-GLOBAL ID:200903078994661420

ピストンリング

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡部 健一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998309442
Publication number (International publication number):2000120870
Application date: Oct. 15, 1998
Publication date: Apr. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 耐Al凝着性、耐焼付性、初期なじみ性等の摺動特性に優れたピストンリングを提供する。【解決手段】 ピストンリング1の上下面に直接、あるいはガス窒化層2やCrめっき皮膜5の硬質表面処理層上に、下地皮膜3を介してダイヤモンドライクカーボン皮膜4を0.5〜30μmの厚さで形成する。ダイヤモンドライクカーボンは、1.アモルファス炭素構造、2.ダイヤモンド構造を一部有するアモルファス炭素構造、3.グラファイト構造を一部有するアモルファス炭素構造の何れかの形態をとる。また、下地皮膜は、Si、Ti、W、Cr、Mo、Nb、及びVの群から選ばれた1又は2以上の元素:70原子%以上100原子%未満,残部:炭素、又は前記1又は2以上の元素:100原子%からなる。なお、ピストンリング1の外周面に上記皮膜を同様に形成することもできる。
Claim (excerpt):
摺動面にダイヤモンドライクカーボン皮膜が被覆されているピストンリングであって、前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜の下に、Si、Ti、W、Cr、Mo、Nb、及びVの群から選ばれた1又は2以上の元素:70原子%以上100原子%未満,残部:炭素、又は前記1又は2以上の元素:100原子%からなっている下地皮膜が被覆されていることを特徴とするピストンリング。
IPC (2):
F16J 9/26 ,  C23C 14/06
FI (2):
F16J 9/26 C ,  C23C 14/06 F
F-Term (16):
3J044AA02 ,  3J044AA04 ,  3J044BB28 ,  3J044BB30 ,  3J044BB31 ,  3J044BB35 ,  3J044BB40 ,  3J044DA09 ,  3J044DA16 ,  4K029BA02 ,  4K029BA07 ,  4K029BA34 ,  4K029BA55 ,  4K029BB02 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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