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J-GLOBAL ID：200903078997165475

気相成長装置のクリーニング方法と気相成長装置

Inventor： 渡部 卓哉 ,  川井 悟
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117060
Publication number (International publication number)：1993315297
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 気相成長装置のクリーニング方法に関し、効率よく且つ効果的に気相成長装置をクリーニングすることで生産性の向上を図ることを目的とする。【構成】 チャンバ内の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法であって、チャンバ31に導入されたハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャンバ31に導入してチャンバ内壁31c に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去して構成する。

Claim (excerpt)：

チャンバ内の所定位置にセッティングされている回路基板を加熱しながら導入した原料ガスをプラズマ化して該基板面に気相成長膜を成膜させる気相成長装置のクリーニング方法であって、チャンバ(31)に導入されたハロゲン系エッチングガスをプラズマ化してその内部をクリーニングした後、活性化された水素ガスを該チャンバ(31)に導入してチャンバ内壁(31c) に吸着した上記ハロゲン系エッチングガスを除去することを特徴とした気相成長装置のクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341