Pat
J-GLOBAL ID:200903079012067756
光電変換素子、フォトセンサアレイおよび2次元画像の読取装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鹿嶋 英實
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000163303
Publication number (International publication number):2001111021
Application date: May. 31, 2000
Publication date: Apr. 20, 2001
Summary:
【要約】【課題】 検知可能領域の広がりの偏りを改善しつつ、高いトランジスタ感度を実現することができる光電変換素子、該光電変換素子を複数配列し、受光感度の分布範囲のバランスの良好なフォトセンサアレイおよび2次元画像の読取装置を提供する。【解決手段】 ダブルゲート型フォトセンサPSAは、チャネル領域11a、11bが設定された単一の半導体層11と、各チャネル領域11a、11b上に設けられたブロック絶縁膜14a、14bと、チャネル領域11a、11b間に設けられた単一のドレイン電極13と、各チャネル領域11a、11bを挟んでドレイン電極13に対向して設けられた個別のソース電極12a、12bと、各チャネル領域11a、11bに対して共通に設けられた単一のトップゲート電極TGと、各チャネル領域11a、11bに対して共通に設けられた単一のボトムゲート電極BGと、を有して構成されている。
Claim (excerpt):
励起光が入射されることにより、キャリアを生成する複数のキャリア発生領域を有する単一の半導体層と、前記複数のキャリア発生領域の各々に、それぞれ設けられたソース、ドレイン電極と、前記半導体層の上方に設けられた第1ゲート電極と、前記半導体層の下方に設けられた第2ゲート電極と、を備えることを特徴とする光電変換素子。
IPC (3):
H01L 27/146
, H01L 29/786
, H01L 31/10
FI (5):
H01L 27/14 C
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 622
, H01L 31/10 H
, H01L 31/10 E
F-Term (48):
4M118AA01
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA11
, 4M118CA21
, 4M118CA24
, 4M118CA32
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB24
, 4M118GA02
, 4M118GA03
, 4M118GB05
, 4M118GB08
, 4M118GB15
, 5F049MA13
, 5F049NA01
, 5F049NB05
, 5F049QA09
, 5F049RA02
, 5F049SE01
, 5F049SE09
, 5F049SE11
, 5F049UA01
, 5F049UA11
, 5F049UA20
, 5F110AA30
, 5F110BB10
, 5F110CC10
, 5F110DD01
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG23
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110HK09
, 5F110HK25
, 5F110HM04
, 5F110NN02
, 5F110NN24
, 5F110NN44
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