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J-GLOBAL ID：200903079029979236

積層型熱電変換装置,熱電発電用サブユニット,および発電システム

Inventor： 古後 正▲徳▼ ,  丹治 雍典 ,  増本 健 ,  中川 康昭 ,  金子 武次郎 ,  佐藤 利三郎 ,  久保木 實
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン ,  佐藤 利三郎 ,  増本 健
Agent (1)： 後藤 洋介 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994009609
Publication number (International publication number)：1995221352
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 熱歪みによる素子破壊の問題を解決する。【構成】 高温熱伝達板(12H )、N型半導体素子(11n)、低温熱伝達板(12L )、P型半導体素子(11p)の順番に積層した熱電対群棒状積層体の両端に一対の電極板(13p,13c)を設け、これら電極板が互いに近接する方向に固定螺子(14-1,14-2)で押圧する。高温熱伝達パイプ(15H)で高温熱伝達板(12H )を加熱し、低温熱伝達パイプ(15L )で低温熱伝達板(12L )から放熱する。これにより、高温熱伝達板(12H )と低温熱伝達パイプ(15L )との間に温度差を生じ、ゼーベック効果によりN型半導体素子(11n)に負、P型半導体素子(11p)に正の熱起電力が発生する。外部に負荷をつなぐと熱電流が流れる。

Claim (excerpt)：

中心がほぼ中心軸に一致するように、前記中心軸に沿って所定間隔で配置された複数枚のN型半導体素子(11n)と、各々が隣接する2枚の前記N型半導体素子のほぼ中間に位置するように、前記中心軸に沿って前記所定間隔で配置された複数枚のP型半導体素子(11p)と、前記複数枚のN型半導体素子と前記複数枚のP型半導体素子との隙間に、前記所定間隔で配置された複数枚の高温熱伝達板(12H )と、前記複数枚のN型半導体素子と前記複数枚のP型半導体素子との残りの隙間に、前記所定間隔で配置された複数枚の低温熱伝達板(12L )と、両端にある高温熱伝達板又は低温熱伝達板の2枚の端熱伝達板に設けられた一対の電極板(13p,13c)とを備えたことを特徴とする積層型熱電変換装置。

IPC (3)：

H01L 35/32 ,  G01K 7/02 ,  H02N 11/00