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J-GLOBAL ID：200903079050974406
半導体装置のダイシング方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992308959
Publication number (International publication number)：1994163687
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全切断できると共に、ブレードの破損率を低減することができる半導体装置のダイシング方法を得る。【構成】 ブレード3で半導体ウエハ1に切り溝7を形成した後に、レーザー光発光部5から出射したレーザー光6によって半導体ウエハ1の切り溝7の底を切断、または溶断するよう構成する。
Claim (excerpt)：
粘着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハの表面から切り溝を入れた後、レーザー光により、前記切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断することを特徴とする半導体装置のダイシング方法。
IPC (3)：
H01L 21/78
, B23K 26/00 320
, B28D 5/00
