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J-GLOBAL ID:200903079061834045

閉鎖電子ドリフトを持つ長さの短いプラズマ加速器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995502490
Publication number (International publication number):1996500699
Application date: Jun. 21, 1993
Publication date: Jan. 23, 1996
Summary:
【要約】プラズマ加速器の主チャネルに磁界を発生する手段(31〜33、34〜38)は、主チャネル(24)の下流端(225)に基本的に半径方向の磁界を発生し、この位置で誘導が最大となる。磁界は陽極(25)近傍の遷移領域において最小誘導を有し、磁界の絶対誘導値は、バッファチャンバ(23)の領域において陽極(25)の上流に向かって再び増加して磁気ミラー効果を生み出す。磁力線は、陽極(25)とチャネル(24)の下流端(225)との間に下流に向かう凹部を持つことにより、イオンを集中させるとともに、最大イオン化密度の領域は陽極(25)の下流に泣置する。磁界発生手段は、いくつかの別々の磁界発生手段(31〜33)と、主チャネル(24)の両側でその外面に配置されるとともに中央磁心(38)により互いに連結された半径方向に延びる平坦な内側及び外側磁極片(35、34)と、ヨーク(36)と、主チャネル(24)の外側で軸方向に配置された周辺磁気回路(37)を備えている。ヨーク(36)は、陽極(25)のすぐ近傍に位置するとともに環状バッファチャンバ(23)を貫通する半径方向部材からなり、環状バッファチャンバ(23)と主チャネル(24)との間に連通スペース(13)が形成されている。
Claim (excerpt):
絶縁材の部材(22)によって形成され、下流側端部(225)が開口したイオン化および加速のための主環状チャネル(24)と、該主環状チャネル(24)の下流部に隣接し、その外側に配置された少なくとも1つの中空陰極(40)と、主環状チャネル(24)と同心であって、開口した下流側端部(225)からある距離を置いて配置された環状陽極(25)と、中空陰極(40)および環状陽極(25)にそれぞれ対応付けられ、イオン化ガスを供給する第1および第2手段(41、26)と、主環状チャネル(24)内に磁界を形成する磁気手段(31〜33、34〜38)と、半径方向の寸法が主環状チャネル(24)と少なくとも等しく、環状陽極(25)が配置された領域を超えて上流に延びる環状バッファチャンバ(23)とを備え、イオン化ガスを供給する第2手段(26)が、陽極(25)が設けられた領域とは異なる領域において、陽極(25)の上流で環状バッファチャンバ(23)に開口した閉鎖電子ドリフトを持つ長さの短いプラズマ加速器において、 主チャネル(24)に磁界を形成する手段(31〜33、34〜38)は、チャネル(24)の下流端で基本的に半径方向の磁界を生成するとともに、上記磁界はこの位置で最大誘導を有する一方、陽極(25)近傍に位置する遷移領域において最小誘導を有し、上記磁界の誘導の絶対値はバッファチャンバ(23)の位置における陽極(25)の上流で再び増加して磁気ミラー効果を生み出し、上記磁界は陽極(25)とチャネル(24)の下流端(225)との間に下流に向かって凹部を持つことによりイオンを集中させるとともに、陽極(25)の下流の領域は最大イオン化密度を有し、磁界を形成する手段は、複数の別々の磁界形成手段(31〜33)と、主チャネル(24)の両側でその外面と同一レベルに配置されるとともに中央磁心(38)により互いに連結された半径方向に延びる平坦な内側及び外側磁極片(35、34)と、ヨーク(36)と、主チャネル(24)の外側で軸方向に配置された周辺磁気回路(37)とを備え、ヨーク(36)は、陽極(25)のすぐ近傍に位置するとともに環状バッファチャンバ(23)内に貫通する半径方向部材からなり、環状バッファチャンバ(23)と主チャネル(24)との連通スペース(13)が半径方向部材の間に形成されていることを特徴とするプラズマ加速器。
IPC (2):
H05H 1/54 ,  F03H 1/00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特許第3083561号
  • 特表平3-505944
  • クローズド電子ドリフトを備えたプラズマ加速器
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-317957   Applicant:ボリス・エイ・アルヒポフ, アンドレイ・エム・ビスハエフ, ブラディミル・エム・ガブリウスヒン, ユリイ・エム・ゴルバチョフ, ブラディミル・ピー・キム, ビャチェスラフ・アイ・コズロフ, コンスタンティン・エヌ・コズブスキ, ニコライ・エヌ・マスレニコフ, アリクシエイ・アイ・モロゾフ, ドミニク・ディー・セブルク

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