半導体基板の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：杉村興作 , 藤谷史朗 , 来間清志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006145599
Publication number (International publication number)：2007317867
Application date： May. 25, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】従来に比して酸化膜の厚みが薄い、あるいは酸化膜を介さずにシリコン同士を直接貼り合せる、貼り合わせウェーハにおいても、ボイドまたはブリスタと呼ばれる欠陥の発生を抑制するための方途を与える。【解決手段】シリコン層を形成する活性層用ウェーハに50nm超500nm以下の厚みの酸化膜を形成した後、該活性層用ウェーハに水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、次いで酸化膜を50nm以下の厚みに調整した後、該酸化膜を介して活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせた後、前記イオン注入層にて剥離する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

シリコン層を形成する活性層用ウェーハに50nm超500nm以下の厚みの酸化膜を形成した後、該活性層用ウェーハに水素イオンを注入してイオン注入層を形成し、次いで酸化膜を50nm以下の厚みに調整した後、該酸化膜を介して活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせた後、前記イオン注入層にて剥離することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-049415 Applicant：信越半導体株式会社

Cited by examiner (4)

半導体基板及び半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147939 Applicant：株式会社デンソー
貼り合わせSOIウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-293565 Applicant：信越半導体株式会社
薄膜トランジスタとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-159100 Applicant：三菱電機株式会社

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