サブクオーターミクロン適用のための、メタライゼーションに先立つ予備洗浄方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村稔 (外9名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000526963
Publication number (International publication number)：2002500276
Application date： Nov. 02, 1998
Publication date： Jan. 08, 2002
Summary：

【要約】本発明は一般に、半導体基板上のサブミクロン構造について、メタライゼーションに先立つ予備洗浄を提供する。この方法は、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いてサブミクロン構造を洗浄することを含み、このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源により発生され、ラジカルは基板が配置されるチャンバーに供給される。サブミクロン構造内に残留する自然酸化物は、好ましくは、第二の工程において水素を含むプラズマからのラジカルで還元される。第一のまたは両方の洗浄工程に続いて、当該構造は、利用可能なメタライゼーション技術によって金属で充填することができる。これは、典型的には、アルミニウム、銅またはタングステンの蒸着に先立って、露出した誘電体表面にバリア/ライナー層を蒸着することを含む。この予備洗浄およびメタライゼーション工程は、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の誘電体層に形成された構造を予備洗浄する方法であって: a)遠隔プラズマ源の中で反応性ガスのプラズマを発生させる工程と; b)反応性ガスのプラズマからラジカルを、前記基板を収容するプロセスチャンバーへと供給する工程とを具備する方法。

IPC (4)：

C23C 16/02 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , H01L 21/768

FI (4)：

C23C 16/02 , H01L 21/304 645 C , H01L 21/302 N , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-199639 Applicant：富士通株式会社
特開平4-229621
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-218112 Applicant：富士通株式会社

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