伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007132189
Publication number (International publication number)：2008288395
Application date： May. 17, 2007
Publication date： Nov. 27, 2008
Summary：

【課題】ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。【解決手段】半導体装置に好適な多層膜構造体10の形成方法として、シリコン基板11の上方にゲルマニウム層12を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層13を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層14を形成する工程とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコン基板の上方にゲルマニウム層を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層を形成する工程を含むこと特徴とする多層膜構造体の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 21/203

FI (2)：

H01L21/20 , H01L21/203 M

F-Term (21)：

5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL07 , 5F103PP03 , 5F103RR06 , 5F152LL08 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152LN15 , 5F152LN21 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN27 , 5F152NN29 , 5F152NP02 , 5F152NQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-169717
特開昭61-105831
特開昭63-108783

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