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J-GLOBAL ID：200903079089811903

半導体装置

Inventor： 小宮山 克美 ,  星 淳一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 豊田 善雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993349131
Publication number (International publication number)：1995202147
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄型でフレキシブルな半導体装置を構成する。【構成】 単結晶Siからなる半導体層10、11を中心に上下にアモルファス絶縁層2、20、30を有し、装置の層厚が100μm以下である半導体装置。【効果】 Si基板を有する半導体装置に比較して破断曲率半径が小さく、曲げに強く破損しにくい。

Claim (excerpt)：

単結晶Si薄膜を活性層として用いたアクティブ素子を作り込んだ半導体集積回路の上下にアモルファス絶縁層を積層してなる半導体装置であって、装置の層厚が100μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786

FI (2)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/78 311 X