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J-GLOBAL ID：200903079090297733

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 粂 雅博 ,  伴 雄三郎 ,  木戸口 勲 ,  上山 智 ,  辻村 歩 ,  石橋 明彦 ,  長谷川 義晃 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998233866
Publication number (International publication number)：2000068599
Application date： Aug. 20, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】 基板と該基板上に成長する半導体層との各劈開面が異なる場合であっても、半導体層に良好な共振器ミラー面を得られるようにする。【解決手段】 C面を持つサファイアからなる基板11上にGaNからなるバッファ層12を成長させる。次に、バッファ層12上にSiO2 からなるマスク形成膜を堆積した後、マスク部の幅が約100μmで開口部の幅が約0.9mmとなる帯状のパターニングを行なって、マスク形成膜からマスクパターン13を形成する。次に、バッファ層12の上にマスクパターン13を含む全面にわたって、n型GaNからなるn型コンタクト形成層14、n型Al0.1 Ga0.9 Nからなるn型クラッド層15、In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98Nからなる多重量子井戸活性層16、及びp型Al0.1 Ga0.9 Nからなるp型クラッド層17を順次成長させる。

Claim (excerpt)：

基板上に、活性層を含む半導体層を成長させる半導体層成長工程と、前記活性層に共振器領域を形成する共振器領域形成工程と、前記基板を劈開することにより、前記共振器領域の端面を露出させる劈開工程とを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、前記半導体層成長工程は、前記基板上に、互いに間隔をおき且つ互いに平行に帯状に延び、上面に前記半導体層が成長しにくい複数のマスク部を有するマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンの上を含む前記基板上に全面にわたって前記半導体層を形成する工程とを有し、前記共振器領域形成工程は、互いに間隔をおき且つレーザ光の出射方向が前記複数のマスク部と交差するように延びる前記共振器領域を形成する工程を有し、前記劈開工程は、前記基板を、前記複数のマスク部におけるマスク長手方向に延びる中央線にほぼ沿うように劈開する工程を有していることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

F-Term (14)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA32