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J-GLOBAL ID：200903079102072635
半導体基板
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995020443
Publication number (International publication number)：1996213650
Application date： Feb. 08, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【目的】 発光輝度等の諸特性に優れた発光素子を得ることができる半導体基板を安価に提供する。【構成】 InGaAlP系材料からなる活性層を有するダブルへテロ構造体および第1電極を表面に順次形成し、且つ、第2電極を裏面に形成して、半導体発光素子を構成するための半導体基板10において、ダブルへテロ構造体を形成する面10aに(311)面或いは(511)面からなる原子ステップを設ける。【効果】 原子ステップを有しているので、面方位を傾斜させた半導体基板の場合と同等の特性の半導体素子を得ることができる。また、ジャスト基板を使用しているのでインゴットからの切り出し効率がよい。
Claim (excerpt)：
InGaAlP系材料からなる活性層を有するダブルへテロ構造体および第1電極を表面に順次形成し、且つ、第2電極を裏面に形成して、半導体発光素子を構成するための半導体基板において、前記ダブルへテロ構造体を形成する面に(n11)面からなる原子ステップを備えたことを特徴とする半導体基板。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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