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J-GLOBAL ID：200903079104153489

電磁波アシストによるリフトオフ法

Inventor： 岡田 誠
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287797
Publication number (International publication number)：1993129220
Application date： Nov. 01, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体素子製造において利用されるリフトオフ法に関し、レジストが高分子化されている場合にあって、通常の溶剤を用いて容易にリフトオフ工程を実施できる方法の提供を目的とする。【構成】 上層の金属3を通して下層のレジスト2に対し、当該金属3のプラズマ振動数以上のエネルギーの電磁波を照射後、リフトオフを行う。

Claim (excerpt)：

基板(1)上の高分子化されたレジスト(2)をパターニングし、次いで全面に金属(3)を付着させ、そして残留レジスト(2)を溶解可能な処理液を使ってリフトオフを行うことにより基板(1)上に所定パターンの金属(3)を残留させるリフトオフ法において、リフトオフに先立ち、リフトオフすべき金属(3)のプラズマ振動数以上のエネルギーを有する電磁波を当該付着金属(3)を通して下層のレジスト(2)に照射することを特徴とするリフトオフ法。

IPC (2)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/263