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J-GLOBAL ID：200903079111451568
液晶表示装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991184914
Publication number (International publication number)：1993027265
Application date： Jul. 24, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体保護膜を用いず、TFTのN+型のアモルファスシリコン・コンタクト層を精度高くエッチングすることを目的とする。【構成】 TFTの構成要素であるアモルファスシリコン層(16),(18)の形成工程の間に、金属保護層(30)を被着し、a-Si層(16)がエッチングされることを防止している。
Claim (excerpt)：
透明な絶縁性基板上に形成されたゲートと、このゲートと電気的に接続されたゲートラインと、実質的に前記絶縁性基板の全面に形成された絶縁層と、前記ゲートを一構成とするTFTのドレインラインと前記ゲートラインの交差部にあるこのゲートラインを覆う金属保護層と、前記ゲートを一構成とするTFTの活性領域および前記交差部を少なくとも覆うように形成された第1の非単結晶シリコン膜と、前記ゲートを一構成とするTFTのソース領域とドレイン領域の間および前記交差部に設けられた半導体保護膜と、前記ゲートを一構成とするTFTのソース領域、ドレイン領域および前記交差部に設けられた第2の非単結晶シリコン膜と、このソース領域に対応する第2の非単結晶シリコン膜と電気的に接続された表示電極と、前記ドレイン領域に対応する第2の非単結晶シリコン膜と電気的に接続され、前記表示電極と同一材料のドレインラインとを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 27/12
, H01L 29/784
