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J-GLOBAL ID：200903079119017441

薄膜の製造方法とその装置

Inventor： 丸山 一典 ,  小駒 益弘 ,  岡崎 幸子
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993039006
Publication number (International publication number)：1995138761
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： May. 30, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高品質で、高効率な、多成分系の薄膜形成にも有用な、大気圧グロー放電プラズマによる新しい薄膜製造方法。【構成】 無機金属化合物、有機金属化合物もしくはその混合物の溶液ミストを、希ガス、もしくは希ガスと不活性ガスあるいは反応性ガスとの混合ガスによる大気圧グロー放電域に導入し、基板23表面に金属または金属化合物含有薄膜を形成する、大気圧グロー放電による薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

無機金属化合物、有機金属化合物もしくはその混合物の溶液ミストを、希ガス、もしくは希ガスと不活性ガスあるいは反応性ガスとの混合ガスによる大気圧グロー放電域に導入し、基板表面に金属または金属化合物含有薄膜を形成することを特徴とする大気圧グロー放電による薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-305813
  
• 特開昭63-050478
  
• 特開昭62-060872
  
• 特開平2-243504