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J-GLOBAL ID：200903079136660927

面発光型半導体レーザ

Inventor： 魚見 和久 ,  佐川 みすず ,  高井 厚志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076602
Publication number (International publication number)：1993283791
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、素子抵抗の小さい面発光型半導体レーザ、及び高い信頼性を有する0.98μm帯の面発光型半導体レーザを提供する。【構成】 伝導帯側(価電子帯側)のバンド端不連続が大きい半導体材料系をp型(n型)の半導体多層膜反射鏡に用いることにより、電子及び正孔各々に対するヘテロ障壁の高さを低減する。また、0.98μm帯の面発光型半導体レーザの半導体多層膜反射鏡をAlを含有していない半導体材料系で構成する。【効果】 本発明では、電子及び正孔各々に対するヘテロ障壁の高さを調整することにより、素子抵抗の小さい面発光型半導体レーザを提供することができる。その結果、特に長波長帯面発光型半導体レーザにおける室温連続発振、高速変調動作に対して効果がある。さらに、0.98μm帯の面発光型半導体レーザの信頼性の向上に対して有効である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層をp型の半導体多層膜反射鏡とn型の半導体多層膜反射鏡で挟んだ積層構造体を有する面発光型半導体レーザにおいて、上記p型の半導体多層膜反射鏡とn型の半導体多層膜反射鏡を構成する半導体材料が異なることを特徴とする面発光型半導体レーザ。