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J-GLOBAL ID：200903079140393437

金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法

Inventor： 藤原 諭 ,  清水 栄二 ,  西野 勇 ,  永田 長寿
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118953
Publication number (International publication number)：1993311424
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Nov. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電気配線として使用する金属薄膜を形成する場合に、耐食性が高く、しかも素子基板等への付着強度も強い銅合金薄膜を形成することができるスパッタリング・ターゲットとその製造方法を提供すること。【構成】 高純度銅合金の組成比に合わせて高純度銅に添加元素とを混合し(ステップ101)、その混合材料を溶解槽に投入して、不活性ガス雰囲気下等で溶湯を連続鋳造することによって、所定の断面形状をしたターゲット母材を形成し(ステップ102)、このターゲット母材から金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲットに加工する(ステップ103,104)。

Claim (excerpt)：

純度が99.9999重量%以上の高純度銅を基体金属とし、この基体金属に純度が99.9重量%以上のチタンを0.04〜0.15重量%添加することによって高純度銅合金製のターゲット材としたことを特徴とする金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C22C 9/00