Pat

J-GLOBAL ID：200903079151548815

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 岡崎 伸夫 ,  真部 勝英 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996358988
Publication number (International publication number)：1997172200
Application date： Dec. 26, 1990
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 青色の発光効率の高い発光素子得ること。【解決手段】禁制帯幅の比較的小さな半導体から成る発光層を挟むようにその両側に各々禁制帯幅の大きなn型半導体層及びp型半導体層を接合した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、発光層4をノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体、p型半導体層5はマグネシウム(Mg)をドープした窒化ガリウム系化合物半導体、n型半導体層3はシリコン(Si)をドープした窒化ガリウム系化合物半導体とした。これにより、結晶性が良い低抵抗なn型半導体層3とp型半導体層5が得られ、それらの層3,5と発光層4とでヘテロ接合としたので、発光効率を向上させることができた。

Claim (excerpt)：

禁制帯幅の比較的小さな半導体から成る発光層を挟むようにその両側に各々禁制帯幅の大きなn型半導体層及びp型半導体層を接合した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記発光層はノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体であり、前記p型半導体層はマグネシウム(Mg)をドープした窒化ガリウム系化合物半導体であり、前記n型半導体層はシリコン(Si)をドープした窒化ガリウム系化合物半導体であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-228776
  
• 特開昭53-020882