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J-GLOBAL ID：200903079152632313
電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992299447
Publication number (International publication number)：1994151464
Application date： Nov. 10, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】周波数分散、ドリフト等の異常現象がない良好なGaAs MESFETを提供すること。【構成】n形動作層4を有するGaAs MESFETのソース・ゲート電極間及びゲート・ドレイン電極間の前記n形動作層4上の一部または全部に空乏化したP形GaAs層7を有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
n形GaAs動作層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を具備したGaAs電界効果トランジスタにおいて、前記n形GaAs動作層上のソース・ゲート電極間およびゲート・ドレイン電極間の一部または全部に空乏化したp形GaAs層を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
