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J-GLOBAL ID：200903079152872977
X線露光用マスク及びその製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991183470
Publication number (International publication number)：1993013310
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 X線透過膜上にパタ-ン化されたX線吸収体層が形成されている構成を有するX線露光用マスクにおいて、X線吸収体層に0.2μmというような小さな寸法の窓が形成されていても、またX線吸収体層が0.2μmというような狭い幅を有していても、試料上の実効露光コントラスト及び試料に対する露光マ-ジンが高く得られ且つかぶりが生じないようにする。【構成】 上記X線露光用マスクにおいて、X線吸収体層の、側面から、1.2×(G・λ)1/2 (ただし、λは用いるX線のピ-ク波長、GはX線によって露光される試料との間の間隔)で与えられる長さLq よりも短いLだけとった側縁部が、他部に比し薄い厚さを有する。
Claim (excerpt)：
X線透過膜上に、パタ-ン化されたX線吸収体層が形成されている構成を有するX線露光用マスクにおいて、上記X線吸収体層が、側縁部において、他部とは異なる厚さを有することを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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