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J-GLOBAL ID：200903079158970482

GaN系化合物半導体製造用アンモニアおよびGaN系化合物半導体の製造方法

Inventor：
林田 英樹

About 林田 英樹

, 
伊藤 泰蔵

About 伊藤 泰蔵

, 
坂口 泰之

About 坂口 泰之


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998253027
Publication number (International publication number)：2000091235
Application date： Sep. 07, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 発光特性に優れたGaN系化合物半導体を確実に製造することができるGaN系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 充填容器18内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度がフーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定して0.5volppm以下とされたGaN系化合物半導体製造用アンモニアを、基板1を収容した反応室11内にガス状態で導入し、このアンモニアを原料として、GaN系化合物からなる層を基板1上に形成する。
Claim (excerpt)：
充填容器内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度が、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定して0.5volppm以下であることを特徴とするGaN系化合物半導体製造用アンモニア。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  G01N 21/35
FI (2)：
H01L 21/205 ,  G01N 21/35 Z
F-Term (21)：
2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059CC09 ,  2G059HH01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DP02 ,  5F045EE02 ,  5F045GB01 ,  5F045GB02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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