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J-GLOBAL ID：200903079161678024

強誘電体メモリ素子

Inventor： 宮澤 弘 ,  樋口 天光 ,  岩下 節也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003173247
Publication number (International publication number)：2005011931
Application date： Jun. 18, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】高性能でPbを含有せず、しかもSi基板上への直接的な実装を可能にした、強誘電体メモリ素子を提供する。【解決手段】Si酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極4上に、テトラゴナル構造で(001)配向のBiFeO3からなる強誘電体層5を有してなる強誘電体メモリ素子1。ペロブスカイト型の電極4は、イオンビームアシスト法によって成膜されていてもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

Si酸化膜上に成膜されたペロブスカイト型の電極上に、テトラゴナル構造で(001)配向のBiFeO3からなる強誘電体層を有してなることを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (3)：

H01L27/105 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22

FI (4)：

H01L27/10 444C ,  C23C14/08 K ,  C23C14/22 F ,  H01L27/10 444B

F-Term (12)：

4K029BA50 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA09 ,  5F083FR02 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR22