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J-GLOBAL ID：200903079179477590

SiC発光ダイオードの電極形成方法

Inventor： 國里 竜也 ,  上田 康博 ,  古賀 和幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227256
Publication number (International publication number)：1993067808
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p形SiCに形成されるp形オーミック電極の構造が簡単であり、且つこの電極を構成するAlの蒸発やボールアップ等の形状変化を防止できるSiC発光ダイオードの電極の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 n形SiC基板1上に発光層としてn形エピタキシャルSiC層2とp形エピタキシャルSiC層3をこの順に形成する。p形エピタキシャルSiC層3上にp形電極としてAl層を真空蒸着法等により形成した後、不活性ガス中において800°C以上で熱処理を行うことにより、p形オーミック電極20を形成する。

Claim (excerpt)：

p形SiC表面にAl層を形成した後、不活性ガス中で熱処理を施すことにより、p形オーミック電極を形成することを特徴とするSiC発光ダイオードの電極形成方法。