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J-GLOBAL ID：200903079184227259
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342802
Publication number (International publication number)：1993175519
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】MOSコンデンサを形成しない発振防止用コンデンサを提供し、集積回路における素子数の及び素子領域の低減を目的としている。【構成】Nウェル1を含むP型シリコン基板2上に、該Nウェル1にN+ 領域4を、P型シリコン基板2上にP+ 領域5をそれぞれ埋込拡散により形成する。VDD入力されるパッド領域がN+ 領域4上に形成され、P型シリコン基板2の電位をGNDに保つためP+ 領域5がGND配線とコンタクトされる。
Claim (excerpt)：
一導電型の半導体基板と、上記半導体基板中に形成された反対導電型のウエルとからなり、上記半導体基板と上記ウエルとの間に形成されたPN接合をコンデンサとすることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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