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J-GLOBAL ID：200903079184559685

ラジカルセルと分子線エピタキシ-装置

Inventor： 瀬戸口 佳孝
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993184386
Publication number (International publication number)：1995014765
Application date： Jun. 28, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ZnSeの半導体レ-ザを作るにはn型とp型の導電型の結晶が得られなければならない。分子線エピタキシ-において、窒素をラジカルセルによってド-プすることが提案されている。窒素ラジカルには高エネルギ-の窒素分子イオンも含まれるこれが試料基板の高速で衝突すると、成長中の薄膜の結晶性を損なうことがある。これを防ぐことが目的である。【構成】 ラジカルセルの開口部の上方に、メッシュ電極を設け、これに正電圧バイアスを印加する。正イオンである窒素イオンはメッシュ電極により減速される。エネルギ-が下がるので基板に高速で衝突するということがない。

Claim (excerpt)：

ガスボンベに接続され窒素ガスを導入する導入管と、導入管に連続して設けられるるつぼと、るつぼの周囲に設けられ高周波電流を流すことにより、るつぼ内部のガスをプラズマにする高周波コイルと、るつぼの開口部の上方に設けられるシャッタと、るつぼ開口部の上方に設けられるメッシュ電極と、メッシュ電極にバイアスを与える電源とよりなり、分子線エピタキシ-装置に用いられて窒素のラジカル線を生成することを特徴とするラジカルセル。