半導体装置の配線構造およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997030432
Publication number (International publication number)：1998229084
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】銅を配線材料として用いた多層配線構造において、銅との密着性が高く接触抵抗の小さい材料を下地膜とした、銅の拡散を防ぐために用いられる膜を、より微細な径で高アスペクト比となった接続構内に形成しやすくすることを目的とする。【解決手段】トランジスタ等の素子が形成された基板101上に、層間絶縁膜102を介して銅もしくは銅合金からなる配線103が形成し、この配線103がバリア膜104によって被覆されている状態とする。そして、バリア膜104として、ルテニウム,オスミウム,イリジウム,および,ロジウムいずれかの金属を用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された銅もしくは銅合金からなる配線層と、前記配線層を覆うように形成されたルテニウム,オスミウム,イリジウム,もしくは,ロジウムからなるバリア膜とを備えたことを特徴とする半導体装置の配線構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178053 Applicant：株式会社東芝
特開平4-343455
銅配線製造方法、半導体装置、及び銅配線製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-046323 Applicant：日本真空技術株式会社

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