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J-GLOBAL ID：200903079193655026
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999002904
Publication number (International publication number)：1999261078
Application date： Jun. 20, 1989
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】簡便な製造プロセスで大粒径で結晶化率の高い多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 シリコン膜をLPCVD法により形成する工程と、前記シリコン層を熱処理により結晶成長させる工程と、前記シリコン層を昇温して溶融させるように前記シリコン層をエキシマレーザーにより熱処理する工程と、前記シリコン層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
(a)絶縁性非晶質材料上にシリコンを主体とする半導体層を形成する工程、(b)該半導体層を熱処理等により結晶成長させる工程、(c)該工程(b)より高い所定の熱処理温度で該半導体層を処理する工程を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 617 V
