Pat

J-GLOBAL ID：200903079214643643

酸化物素子およびその製造方法

Inventor： 平谷 正彦 ,  今川 一重
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994301813
Publication number (International publication number)：1996162684
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MgO(001)単結晶面上にSrTiO3層を形成する基板構造において、SrTiO3層がMgO(001)面上にキューブ オン キューブの配向関係で成長し得る薄膜形成の温度と圧力の条件を与えることにある。【構成】 ハッチの入った温度-圧力領域(11)ではキューブ オン キューブの配向が得られ、領域(12)では(110)配向が主として、領域(13)では(111)配向が主として成長する。【効果】 酸化物超電導体、強誘電体などの薄膜成長に好適で、かつ価格的に安価で大面積のペロブスカイト構造基板を与える。

Claim (excerpt)：

板状の酸化物マグネシウム(MgO)単結晶上に単結晶からなるSrTiO3層が形成された基板上に、酸化物層からなるソース電極、ドレイン電極および上記ソース、ドレイン電極間の上記基板上に絶縁膜を介してゲート電極を形成することを特徴とする酸化物素子。