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J-GLOBAL ID：200903079217539820

パタン形成方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 服部 孝司 ,  土屋 裕子 ,  白石 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998150928
Publication number (International publication number)：1999109627
Application date： Jun. 01, 1998
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザの波長193nmを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。【解決手段】 γ-またはδ-ヒドロキシカルボン酸構造の一部または全てが、酸触媒反応によりγ-またはδ-ラクトン構造に変わる反応を用いる。【効果】 水性アルカリ現像で膨潤のない高解像性のネガ型のパタンが形成される。

Claim (excerpt)：

基体上にカルボン酸構造を含む感光性組成物からなる塗膜を形成する工程と、前記塗膜に所定のパタンの活性化学線を照射して、前記活性放射線の照射部分のカルボン酸構造をγ-ラクトン構造またはδ-ラクトン構造に変化させる工程とを有することを特徴とするパタン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/038 505 ,  H01L 21/30 502 R