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J-GLOBAL ID：200903079221241038

半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造

Inventor： ジェローム・ジョン・クオモ ,  リチャード・ジョーゼフ・ガンビーノ ,  アルフレッド・グリル ,  ウィリアム・フランシス・ケーン ,  ドナルド・ジョーゼフ・ミカルセン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995097071
Publication number (International publication number)：1995302888
Application date： Apr. 21, 1995
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 動的ランダム・アクセス・メモリ用のコンデンサを提供する。【構成】 コンデンサは、チタン酸バリウムストロンチウムやチタン酸鉛ジルコニウム(PZT)などの高誘電性材料と、白金などの金属の上部電極と、第1層が金属、第2層が金属酸化物、第3層が、金属酸化物からの原子が誘電体に向かって拡散し誘電体からの原子が金属酸化物に向かって拡散するのを防止する拡散障壁を提供する金属である、3つの層を含む下部電極構造とを備える。【効果】 本発明は、誘電体の劣化による、または原子の拡散によって別のコンデンサが高誘電率材料と直列に形成されることによる、静電容量値の損失の問題を解決する。

Claim (excerpt)：

基板と、上記基板上の半導体領域と、上記半導体領域とオーム接触するように上記半導体領域上に形成された、Ru、Ir、Re、Rh、Os、Pdおよびそれらの合金からなる群から選択された金属の第1層と、上記第1層とオーム接触するように上記第1層上に形成された、Ru、Ir、Re、Rh、Os、Pdおよびそれらの合金の酸化物からなる群から選択された金属酸化物の第2層と、その上に高誘電性材料を形成することのできる、Pt、Au、Ru、Ir、Re、Rh、Os、Pdおよびそれらの合金からなる群から選択された金属の第3層とを備える、半導体集積回路コンデンサ電極構造。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C