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J-GLOBAL ID：200903079221323557

磁気抵抗効果素子の製造方法

Inventor： 菊地 英幸 ,  小林 和雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 松本 昂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993224417
Publication number (International publication number)：1995086663
Application date： Sep. 09, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は高周波スパッタ法を用いて電気抵抗の変化率が大きいGMR効果膜を製造することを目的とする。【構成】基板12上にFe,Co及びNiのうちの少なくとも一つを含む磁性層20と、非磁性中間層22とを交互に複数組積層し、中間層22を介した隣接する磁性層20の磁化方向を反平行にする相互作用を有する磁気抵抗効果素子のスパッタ法による製造方法において、スパッタ時に前記基板12に正のバイアス電圧を印加するように構成する。

Claim (excerpt)：

基板(12)上に磁性層(20)と、非磁性中間層(22)とを交互に複数組積層し、中間層(22)を介した隣接する磁性層(20)の磁化方向を反平行にする相互作用を有する磁気抵抗効果素子のスパッタ法による製造方法において、スパッタ時に前記基板(12)に正のバイアス電圧を印加することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18