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J-GLOBAL ID：200903079226099043

高分子光学材料及びこれを用いた光導波路

Inventor： 渡辺 俊夫 ,  栗原 隆 ,  林田 尚一 ,  今村 三郎
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中本 宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997070860
Publication number (International publication number)：1998036511
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 1.3μm及び1.55μm波長帯において低損失であり、かつ耐熱性、耐湿性、耐溶剤性及び耐クラック性に優れた高分子光学材料、及びそれを用いた光導波路を提供する。【解決手段】 式(I)、(II) の各単位を構成分とする一般式(化1):-(R1 )(-O1/2 )Si-O-(I)、-(R1 )(HO-)Si-O-(II)(R1 :シクロヘキシル基又はシクロペンチル基)の繰り返し単位、及び式(III)、式(IV) を構成分とする一般式(化2):-(R2 )(-O1/2 )Si-O-(III)、-(R2 )(HO-)Si-O-(IV) 〔R2 :C6 Y5 (Y:H又はD)〕の繰り返し単位からなる共重合体である高分子光学材料。該材料をコア又はクラッドとする高分子光導波路。該材料は、他の成分、特にポリイソシアネートを含んでいてもよい。

Claim (excerpt)：

式(I)、式(II)の各単位を構成分とする下記一般式(化1):【化1】(式中、R1 はシクロヘキシル基又はシクロペンチル基である)で表される繰り返し単位、及び式(III)、式(IV) の各単位を構成分とする下記一般式(化2):【化2】〔式中、R2 はC6 Y5 (Yは水素又は重水素を表す)で表されるフェニル基又は重水素化フェニル基である〕で表される繰り返し単位からなる共重合体であることを特徴とする高分子光学材料。

IPC (6)：

C08G 77/16 NUG ,  C07F 7/08 ,  C07F 7/21 ,  C08G 18/61 NEM ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/12

FI (6)：

C08G 77/16 NUG ,  C07F 7/08 Y ,  C07F 7/21 ,  C08G 18/61 NEM ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/12 N