Pat
J-GLOBAL ID：200903079229612647

半導体加速度センサ

Inventor：
細谷 克己

About 細谷 克己

, 
春山 隆之

About 春山 隆之

, 
大場 正利

About 大場 正利


Applicant, Patent owner：
オムロン株式会社

About オムロン株式会社


Agent (1)： 松井 伸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998293179
Publication number (International publication number)：2000121662
Application date： Oct. 15, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 可動電極と固定電極の接触を抑制する絶縁膜が、陽極接合時などに生じる放電により絶縁破壊されることがない半導体加速度センサを提供すること【解決手段】 固定電極8を備えたガラス基板1の上面に、加速度を受けて変位する重り部6を有するシリコン基板2を陽極接合して一体化する。重り部と固定電極は対向し、重り部の対向面を可動電極7とする。ガラス基板の表面に、固定電極未形成領域8aであって、かつ可動電極7に対向する位置に電極材10を介して絶縁層11を設ける。これにより、重り部が大きく変位した場合には、可動電極と絶縁層が先に接触し、両電極が電気的に接触しないようにした。さらに、固定電極と絶縁層が接触していないので、例えば陽極接合時に両電極間で放電を生じ、そのとき絶縁層に高電圧が印加して絶縁破壊をすることがない。
Claim (excerpt)：
加速度を受けて変位する可動部を有する半導体基板と、その半導体基板と接合する固定基板とを有し、前記固定基板に対向する前記可動部の表面に可動電極を設けるとともに、その可動電極と対向する前記固定基板の表面に固定電極を設けた半導体加速度センサにおいて、前記固定基板の表面に、前記固定電極の未形成領域であって、かつ前記可動部に対向する位置に絶縁層を設け、前記可動部が変位した際に、前記可動部と前記絶縁層が接触することにより前記可動電極と前記固定電極が電気的に接触しないように構成したことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
G01P 15/125 ,  H01L 29/84
FI (2)：
G01P 15/125 ,  H01L 29/84 Z
F-Term (7)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA23 ,  4M112CA36 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM