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J-GLOBAL ID：200903079236269699
バンプ形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993265005
Publication number (International publication number)：1995122565
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】Auや半田を用いた場合の欠点を解消すべくAlワイヤを採用し、且つワイヤボンダの機械的な動作で均一にバンプ電極を形成できるようにする。【構成】高純度AlにMgを0.5〜3.0wt%含有せしめて細線状に作製したAlワイヤWをキャピラリ3に挿通せしめ、その先端を、Ar-10%H2 ガスの還元性雰囲気下でアーク放電により加熱溶融せしめてボールW’を作製する。このボールW’を半導体チップ1のAlパッド2上面に付着させ、その状態でキャピラリ3を引き上げれば、ボールW’の根本部所定箇所でワイヤWが切断し、その上面に所定高さhのネックa1が残った状態で、パッド2上面にバンプ電極aが形成される。
Claim (excerpt)：
Al又はAl合金からなる被接合層の上面にバンプ電極を形成する方法であって、前記バンプ電極を、高純度AlにMgを0.5〜3.0wt%含有せしめて細線状に作製したワイヤを用いてボールボンディング法により形成することを特徴とするバンプ形成方法。
FI (2)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 D
Cited by examiner (7)
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