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J-GLOBAL ID：200903079242914300

窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法

Inventor： 妹尾 雅之 ,  山田 孝夫 ,  板東 完治 ,  福田 俊男
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社 ,  株式会社プラズマシステム
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994149960
Publication number (International publication number)：1996017803
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 第1にエッチング面のエッチング残渣、エッチピット等を無くし平滑な面を得、第2に、エッチング結果が常時安定し、第3に、複数の窒化ガリウム系化合物半導体に対しても同時に同一結果でエッチングできる窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチング室1内の電極(12)上に設置した窒化ガリウム系化合物半導体(101)を塩素ガスとケイ素含有ガスとの2種類のプラズマ発生ガスからのプラズマガスでエッチングするか、またはエッチング室1内の電極上に、ケイ素片(102)と窒化ガリウム系化合物半導体(101)とを設置し、塩素ガスのプラズマガスでエッチングする。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体を塩素ガスとケイ素含有ガスとの2種類のガスを含むプラズマ発生ガスから発生されたプラズマガスでエッチングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00