Pat

J-GLOBAL ID：200903079247615068

透明電極の形成方法および形成装置

Inventor： 石田 稔幸 ,  佐野 一也
Applicant, Patent owner： 株式会社日本製鋼所
Agent (1)： 横井 幸喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997017709
Publication number (International publication number)：1998199346
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 プラズマディスプレイ等に使用される透明電極の抵抗率を良好に低下させる。【解決手段】 基板上に形成された導電性酸化膜にレーザ光を照射しつつ導電性酸化膜またはレーザ光の少なくとも一方を移動させてレーザ光で走査する。装置は、エキシマレーザ紫外光出力部12と、紫外光を線状に集光して導電性酸化膜に照射する光学系13,14と、成膜基板10を紫外光の長手方向に対し略直角方向に移動させる移動手段9とを有する。【効果】 基板の加熱を要することなく大型の透明電極においても良好に抵抗率を低下させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された導電性酸化膜にレーザ光を照射しつつ導電性酸化膜またはレーザ光の少なくとも一方を移動させて該酸化膜の表面をレーザ光で走査し、よって該導電性酸化膜の抵抗率を低下させることを特徴とする透明電極の形成方法

IPC (2)：

H01B 13/00 503 ,  C23C 14/58

FI (2)：

H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/58 C