Pat

J-GLOBAL ID：200903079251589438

半導体製造装置の清浄方法

Inventor： 飯塚 勝彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088599
Publication number (International publication number)：1993291213
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、RIE法やECR法によるドライエッチング装置等の処理室に堆積した不要な堆積物を処理ガスにより除去する半導体製造装置の清浄方法に関し、不要な堆積物を短時間で除去し、処理室内を清浄にすることが可能な半導体製造装置の清浄方法の提供を目的とする。【構成】載置台4上に置いた被加工体をエッチングする処理室1内に堆積した堆積物を処理ガスにより除去する半導体製造装置の清浄方法において、処理ガスから載置台4を保護するために載置台4上に保護体21を置き、かつ保護体21の温度を0°C以下に保持した状態で、処理室1内に導入し、活性化した処理ガスにより堆積物を除去することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

載置台上に置いた被加工体をエッチングする処理室内に堆積した堆積物を処理ガスにより除去する半導体製造装置の清浄方法において、前記処理ガスから前記載置台を保護するために該載置台上に保護体を置き、かつ該保護体の温度を0°C以下に保持した状態で、該処理室内に導入し、活性化した処理ガスにより前記堆積物を除去することを特徴とする半導体製造装置の清浄方法。