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J-GLOBAL ID:200903079262084796
EL素子の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
廣澤 勲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998285316
Publication number (International publication number):2000113980
Application date: Oct. 07, 1998
Publication date: Apr. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 簡単な構成で製造が容易であり、透明電極部での短絡や発光不良が生じないようにしたEL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラスや樹脂等の透明な基板12の表面にITO等の透明な電極材料により所定の形状となるように透明電極14を形成する。透明電極14にEL材料からなる発光層16を蒸着等の真空薄膜形成技術により積層し、発光層16の表面に、透明電極14に対向した所定形状のAl-Li等の背面電極18を形成する。透明電極14を形成する際に、所定のパターンが開口した第一のマスク22を用いて真空薄膜形成技術により所定パターンの透明電極14を形成し、透明電極14の所定範囲に開口した第二のマスク30を用いて有機EL発光材料を真空薄膜形成技術により積層する。透明電極14と対向するように所定の開口20を有した第三のマスク32を介して真空薄膜形成技術により背面電極18を形成する。
Claim (excerpt):
透明な基板表面に透明な電極材料により所定の透明電極を形成し、この透明電極にEL材料からなる発光層を真空薄膜形成技術により積層し、上記発光層の表面に、上記透明電極に対向して背面電極を形成するEL素子の製造方法において、上記透明電極を形成する際に、所定のパターンが開口した第一のマスクを用いて真空薄膜形成技術により所定パターンの透明電極を形成し、上記透明電極の所定範囲に開口した第二のマスクを用いて有機EL発光材料を上記真空薄膜形成技術により積層し、この後、上記透明電極と対向するように所定の開口を有した第三のマスクを介して上記真空薄膜形成技術により背面電極を形成することを特徴とするEL素子の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
F-Term (14):
3K007AB01
, 3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CA01
, 3K007CA02
, 3K007CA05
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
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