Pat

J-GLOBAL ID：200903079267356590

イオン伝導性固体電解質、その製造方法及びイオン伝導性固体電解質素子

Inventor： 堀切 智成
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000231842
Publication number (International publication number)：2002042550
Application date： Jul. 31, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリカメソ構造体の配向性を有し、イオン伝導方向に異方性を有した高いイオン伝導度を有する固体電解質を提供する。【解決手段】 少なくとも1種類以上のイオン伝導性を有する物質を担持した構造に、磁場により方向性を付与したシリカメソ構造体と、該構造体に電界を印加する一対の電極とから構成され、上記電極間に印加する電界によりイオンを輸送する方向に異方性を有する高いイオン伝導度を有する固体電解質。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種類以上のイオン伝導性を有する物質を担持し、構造に方向性を付与したシリカメソ構造体を用いることを特徴とするイオン伝導性固体電解質。

IPC (3)：

H01B 1/06 ,  H01B 13/00 ,  H01M 10/36

FI (3)：

H01B 1/06 A ,  H01B 13/00 Z ,  H01M 10/36 A

F-Term (4)：

5G301CA02 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H029AM11