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J-GLOBAL ID：200903079281899709

透過電子顕微鏡用の試料作製方法

Inventor： 五十嵐 信行
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168540
Publication number (International publication number)：1993018873
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 試料作製に伴うダメージ層のない透過電子顕微鏡観察用の試料を作製する。【構成】 電子顕微鏡観察試料作製の際にGaAs/AlGaAs試料表面に形成されるイオンミリングのダメージ層3を、化学的なエッチングによって除去する。高分解能観測が可能となり、特にヘテロ界面の観察の信頼性が高くなる。

Claim (excerpt)：

GaAs/Al<SB>x </SB>Ga<SB>1 - x </SB>As(0<x≦1)ヘテロ構造を有する半導体層を、イオンミリングにより薄片化する工程と、該半導体層の表面を化学的にエッチングする工程を有することを特徴とする透過電子顕微鏡用の試料作製方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-132345
  
• 特開平2-278139
  
• 特開平2-109329