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J-GLOBAL ID：200903079289616366
EL表示装置のレーザーリペア方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
須藤 克彦
, 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003012381
Publication number (International publication number)：2004227852
Application date： Jan. 21, 2003
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
【課題】ピンホールによるダークスポットの発生を招くことなく、ショート不良箇所をリペアする。【解決手段】異物100の周辺領域に照射領域111を設定してレーザー照射を行う。異物100が付着した有機EL素子60にダメージが加わり、ピンホールが発生することが防止される。また、異物100から離れた周辺領域にレーザー照射すれば、そのエネルギーは照射領域111を中心に同心円状に伝達され、間接的に異物100にも供給される。したがって、アノード層61とカソード層65との間に高抵抗領域を形成することが可能となり、異物100によるショート不良箇所をリペアすることができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
複数の画素を備え、各画素毎に、アノード層とカソード層の間にEL層が介在されて成るEL素子を有するEL表示装置のレーザーリペア方法において、前記EL素子上に付着した異物を検出し、この異物の周辺領域にレーザー照射を行うことにより、前記異物が付着した画素のアノード層とカソード層との間に高抵抗領域を形成することを特徴とするEL表示装置のレーザーリペア方法。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (4)：
3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
Cited by examiner (2)
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発光装置の作製方法および薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-388187
Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
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液晶表示素子のリペア方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-340317
Applicant：東レ株式会社
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