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J-GLOBAL ID：200903079289642251

窒化ケイ素の製造方法

Inventor： 大塚 哲美 ,  伏井 康人 ,  磯崎 啓
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993311672
Publication number (International publication number)：1995165405
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 比較的安価な金属シリコンを用い、特殊な粉砕工程や湿式の精製処理のような手間のかかる後処理を必要としないで、高比表面積の高α型窒化ケイ素粉末を製造すること。【構成】 金属シリコン粉末を含む厚みdの窒化原料を窒素及び/又はアンモニアを含む雰囲気下、以下の(1)〜(4)の条件で窒化させることを特徴とする窒化ケイ素の製造方法。(1)窒化率30%までは窒化原料の表面からd/10の深さまでの酸素含有量を2重量%未満とする(2)反応速度を4%/hr以下とする(3)窒化率10〜90%における反応速度を0.5%/hr以上とする(4)窒化率50%未満における反応速度の増加分を0.6%/hr2 以下とする

Claim (excerpt)：

金属シリコン粉末を含む厚みdの窒化原料を窒素及び/又はアンモニアを含む雰囲気下、以下の(1)〜(4)の条件で窒化させることを特徴とする窒化ケイ素の製造方法。(1)窒化率30%までは窒化原料の表面からd/10の深さまでの酸素含有量を2重量%未満とする(2)反応速度を4%/hr以下とする(3)窒化率10〜90%における反応速度を0.5%/hr以上とする(4)窒化率50%未満における反応速度の増加分を0.6%/hr2 以下とする

IPC (2)：

C01B 21/068 ,  C04B 35/626

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭56-050170
  
• 特開昭63-170267
  
• 特開2042-024300