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J-GLOBAL ID:200903079294715542

薄型オーバーモールデッド半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993211098
Publication number (International publication number):1994112354
Application date: Aug. 04, 1993
Publication date: Apr. 22, 1994
Summary:
【要約】【目的】 薄型オーバーモールデッド・パッド・アレイ・キャリア48は、片面に金属を有し、めっきしていないスルーホールを有する新しい基板40を用いて製造される。この新しい基板は、基板の両面におけるはんだレジスト層の必要性を排除している。【構成】 半導体ダイ50は基板の上側にマウントされており、基板上の金属トレース46にワイヤ・ボンディングされている。パッケージ・ボディ54は基板上にオーバーモールドされて、少なくともダイおよびワイヤ・ボンド52を被覆する。はんだボール56はスルーホール44内で付着されて、これによって基板の上側の金属トレースに直接接続されている。
Claim (excerpt):
薄型オーバーモールデッド半導体デバイス(48)であって:第1表面,第2表面,および複数のスルーホール(44)を有する基板(40)であって、前記第1表面は、前記複数のスルーホールの上に置かれる複数のはんだパッド(47)を終端とする導電金属トレース(46)のパターンを有する基板(40);前記第1表面の上にマウントされた半導体ダイ(50)であって、前記半導体ダイは、前記導電金属トレースの前記パターンに電気的に結合されている半導体ダイ(50);封入材によって形成され、少なくとも前記半導体ダイを被覆するパッケージ・ボディ(54);および前記第2表面から延在する複数のはんだボール(56)であって、前記複数のはんだボールは、前記複数のスルーホールによって前記第1表面上の複数のはんだパッドに接続されている複数のはんだボール(56);によって構成されることを特徴とする薄型オーバーモールデッド半導体デバイス。

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