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J-GLOBAL ID:200903079294827111
有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (3):
飯田 敏三
, 佐々木 渉
, 宮前 尚祐
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008216491
Publication number (International publication number):2009078963
Application date: Aug. 26, 2008
Publication date: Apr. 16, 2009
Summary:
【課題】有機半導体化合物の単結晶薄膜を大面積かつ均一に作製する方法、並びにその方法によって作製された有機半導体化合物の単結晶薄膜を提供する。【解決手段】誘電率が4.5以上でありかつ有機半導体化合物6が可溶である有機溶媒を、基板2上に塗布して液膜9を形成する工程、有機溶媒液膜9に有機半導体化合物6を供給し溶解させる工程、および有機溶媒中で有機半導体化合物6を結晶化させる工程を含む、有機半導体化合物6の単結晶薄膜の作製方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
誘電率が4.5以上でありかつ有機半導体化合物が可溶である有機溶媒を、基板上に塗布して液膜を形成する工程、
前記有機溶媒液膜に前記有機半導体化合物を供給し溶解させる工程、および
前記有機溶媒中で前記有機半導体化合物を結晶化させる工程
を含むことを特徴とする有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法。
IPC (7):
C30B 29/58
, C30B 7/08
, H01L 21/368
, H01L 29/786
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
FI (7):
C30B29/58
, C30B7/08
, H01L21/368 Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250F
, H01L29/28 310J
F-Term (22):
4G077AA03
, 4G077BF04
, 4G077CB01
, 4G077FJ06
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F053AA50
, 5F053DD19
, 5F053FF01
, 5F053GG01
, 5F110AA01
, 5F110AA28
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG05
, 5F110GG12
, 5F110GG24
, 5F110GG25
Patent cited by the Patent: