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J-GLOBAL ID：200903079309881894

磁性多層装置

Inventor： ヘイス マルティヌス アデラ マリア ,  ファン ハウテン ヘンドリク
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996512448
Publication number (International publication number)：1997506479
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】磁性多層装置(1)は、共鳴・トンネリング 二重・障壁構造(RTDBS)(7)を具える介在層状構造により分離される磁性材料の2つの層(3,5)を具えている。かかる装置(1)では、磁性層(3,5)間の交換連結は電界に対するRTDBS(7)の影響により修正される。このようにして、磁性層(3,5)の磁化(M1,M2)の形態、かくて装置(1)により発生される正味の磁束は電気的に調整される。この装置(1)はなかんずく磁気記録ヘッドで適用される。

Claim (excerpt)：

介在層状構造により分離される磁性材料の2つの層を具えた磁性多層装置において、その介在層状構造が2つの障壁層間にはさまれた中間層を有する共鳴・トンネリング 二重・障壁構造(RTDBS)を具えることを特徴とする磁性多層装置。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/31 Z ,  G11B 5/39