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J-GLOBAL ID:200903079312940680

地盤注入装置および地盤注入薬液の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 染谷 仁
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000132187
Publication number (International publication number):2001311138
Application date: May. 01, 2000
Publication date: Nov. 09, 2001
Summary:
【要約】【目的】 軟弱あるいは漏水地盤に地盤注入薬液を注入して該地盤を固結する地盤注入装置および該薬液の製造方法であって、水ガラスおよび炭酸ガスを有効成分とした無公害で、均質な地盤注入薬液を地盤中に連続して注入し得、かつ高圧炭酸ガス容器中の炭酸ガスを無駄なく使い切ることができる。【構成】 水ガラス水溶液貯槽1から地盤6中の注入管7に配管された水ガラス水溶液送液管路5と、高圧炭酸ガス容器8-1から水ガラス水溶液貯槽1、水ガラス水溶液送液管路5または地盤6の注入管7に配管された設定圧力の異なる複数系統の炭酸ガス圧送管路12、14とを備え、炭酸ガスを所望の一定流速で水ガラス水溶液中に噴射することにより、水ガラス水溶液に炭酸ガスを一定割合で吸収し、得られた均一に混合された地盤注入薬液を注入管7を通して地盤6中に注入することが構成される。
Claim (excerpt):
水ガラス水溶液貯槽から地盤中の注入管に配管された水ガラス水溶液送液管路と、炭酸ガス高圧容器から前記水ガラス水溶液貯槽、前記水ガラス水溶液送液管路、または前記地盤中の注入管に配管された設定圧力の異なる複数系統の炭酸ガス圧送管路とを備えてなり、炭酸ガスを所望の一定流速で水ガラス水溶液中に噴射することにより、水ガラス水溶液に炭酸ガスを一定割合で、吸収し、均一に混合された地盤注入薬液を注入管を通して地盤中に注入することを特徴とする地盤注入装置。
IPC (4):
E02D 3/12 101 ,  C09K 17/04 ,  C09K 17/12 ,  C09K103:00
FI (4):
E02D 3/12 101 ,  C09K 17/04 P ,  C09K 17/12 P ,  C09K103:00
F-Term (16):
2D040AA04 ,  2D040AB01 ,  2D040AC05 ,  2D040BA03 ,  2D040CA02 ,  2D040CB03 ,  2D040CD02 ,  2D040CD03 ,  2D040CD04 ,  2D040CD08 ,  2D040DA03 ,  4H026CA03 ,  4H026CB01 ,  4H026CC02 ,  4H026CC03 ,  4H026CC05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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