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J-GLOBAL ID：200903079316943137

半導体レ-ザ素子

Inventor： 似鳥 耕一
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338008
Publication number (International publication number)：1997153656
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】自励発振がしやすく、十分な信頼性を有する半導体レ-ザ素子を提供する。【解決手段】 第1導電型基板2、第1導電型クラッド層4、活性層5、第2導電型クラッド層6、第2導電型光吸収層10、第1導電型電流狭窄層11とを順次積層し、第2導電型光吸収層10は、幅W<SB>1 </SB>をもって第2導電型クラッド層6上に分割形成され、第1導電型電流狭窄層11は、幅W<SB>2 </SB>をもって第2導電型光吸収層10上に分割形成され、幅W<SB>1 </SB><幅W<SB>2 </SB>とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型基板と、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型クラッド層と、第2導電型光吸収層と、第1導電型電流狭窄層とを順次積層した半導体レ-ザ素子であって、前記第2導電型光吸収層は、幅W<SB>1 </SB>をもって前記第2導電型クラッド層上に分割形成され、前記第1導電型電流狭窄層は、幅W<SB>2 </SB>をもって前記第2導電型光吸収層上に分割形成され、幅W<SB>1 </SB><幅W<SB>2 </SB>としたことを特徴とする半導体レ-ザ素子。