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J-GLOBAL ID：200903079322942061

III族窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： 後藤 順 ,  五島 滋雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000055970
Publication number (International publication number)：2001244568
Application date： Feb. 28, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】本願発明は、エッチング深さを精密に制御するIII族窒化物半導体の加工方法、並びにIII族窒化物半導体素子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本願発明の骨子は、プラズマを用いたIII族窒化物半導体層の加工工程を有し、前記加工工程におけるその結晶に含まれる所望元素、例えばInに対応したプラズマ発光のスペクトルの変化により加工の深さを制御する半導体素子の製造方法である。

Claim (excerpt)：

プラズマを発生する状態でIII族窒化物半導体層を有する半導体積層体を加工するに際し、その半導体積層体に含まれる所望元素に対応したプラズマ発光のスペクトルの変化により加工の深さを制御することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01S 5/22 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 E

F-Term (29)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CB02 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA23 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29