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J-GLOBAL ID：200903079328787378

セルフクリ-ニングイオンドーピング装置およびその方法

Inventor： 川崎 義則 ,  中本 一朗 ,  桑原 一
Applicant, Patent owner： 石川島播磨重工業株式会社
Agent (1)： 堀田 実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999148141
Publication number (International publication number)：2000340165
Application date： May. 27, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 イオン源内部のアノード電極を装置を大気開放してメンテナンスすることなく、クリーニングすることができ、これにより、不純物注入特性の信頼性を向上し、歩留まりを向上することができ、さらに装置のメンテナンスサイクルおよびアノード電極の交換サイクルを延ばし、生産性を向上させることができるイオンドーピング装置とその方法を提供する。【解決手段】 アノード電極7またはイオン源内壁1aをスパッタリングするための直流電圧を発生するスパッタ電源32と、アーク電源22の正極をアノード電極7またはチャンバ内壁の一方に切り替え可能な第1切替装置34と、スパッタ電源の正極をアーク電源の正極と接続/切断可能な第2切替装置36と、スパッタ直流電源の負極をアノード電極またはチャンバ内壁の他方に切り替え可能な第3切替装置38とを備える。

Claim (excerpt)：

アノード電極(7)またはイオン源内壁(1a)をスパッタリングするための直流電圧を発生するスパッタ電源(32)と、アーク電源(22)の正極をアノード電極(7)またはチャンバ内壁の一方に切り替え可能な第1切替装置(34)と、スパッタ電源の正極をアーク電源の正極と接続/切断可能な第2切替装置(36)と、スパッタ直流電源の負極をアノード電極またはチャンバ内壁の他方に切り替え可能な第3切替装置(38)と、を備えたことを特徴とするセルフクリ-ニングイオンドーピング装置。

IPC (5)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265

FI (5)：

H01J 37/317 Z ,  C23C 14/48 Z ,  H01J 27/02 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265 603 Z

F-Term (7)：

4K029DA09 ,  4K029DC27 ,  4K029DE00 ,  5C030DD05 ,  5C030DE01 ,  5C030DE10 ,  5C034CC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオン源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-018072   Applicant：石川島播磨重工業株式会社